ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат

ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат

Министерство образования Русской Федерации

ТОМСКИЙ Муниципальный Институт

СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР)

Кафедра радиоэлектроники и защиты инфы (РЗИ)

ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ

Объяснительная записка к курсовому проекту по дисциплине

Схемотехника и АЭУ

Студент гр. 180

__________Курманов Б.А.

______________

Управляющий

Доцент кафедры РЗИ

_____________Титов А.А.

_____________

2003


Реферат

Курсовая работа 29с., 12 рис., 3 табл., 2 источника.

УСИЛИТЕЛЬНЫЙ КАСКАД, ТРАНЗИСТОР, КОЭФФИЦИЕНТ ПЕРЕДАЧИ, ЧАСТОТНЫЕ Преломления, НАПРЯЖЕНИЕ, МОЩНОСТЬ ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат, ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИЯ, СКВАЖНОСТЬ, КОРРЕКТИРУЮЩАЯ ЦЕПЬ, ОДНОНАПРАВЛЕННАЯ МОДЕЛЬ.

Целью данной работы является приобретение способностей аналитического расчёта усилителя по данным требованиям.

В процессе работы выполнялся расчёт характеристик усилителя, анализ разных схем термостабилизации, были рассчитаны эквивалентные модели транзистора, рассмотрены варианты коллекторной цепи транзистора.

В итоге работы получили принципную готовую схему усилителя ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат с известной топологией и известными номиналами частей.

Объяснительная записка выполнена в редакторе текста Microsoft Word 2002.


СОДЕРЖАНИЕ

1.Введение 5
2.Подготовительный расчет усилителя 6
2.1 Расчет рабочей точки 6
3. Выбор транзистора 8
4. Расчет схемы термостабилизации 9
4.1 Эмиттерная термостабилизация 9
4.2 Пассивная коллекторная термостабилизация 11
4.3 Активная коллекторная термостабилизация 12
5. Расчёт характеристик схемы Джиаколетто 13
6. Расчет частотной индуктивной корректировки 15
7. Промежный каскад 17
7.1 Расчет рабочей точки. Транзистор VT2 17
7.1.1 Расчет частотной индуктивной корректировки 20
7.1.2 Расчет схемы термостабилизации 21
7.2 Транзистор VT1 22
7.2.1 Расчет схемы термостабилизации 24
8. Преломления ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат вносимые входной цепью 25
9. Расчет Сф , Rф , Ср 26
10. Заключение 28
Литература 29

Министерство образования Русской Федерации

Томский Институт Систем Управления и Радиоэлектроники (ТУСУР)

Кафедра радиоэлектроники и защиты инфы (РЗИ)

Утверждаю

Зав. кафедрой РЗИ

_____В.И.Ильюшенко

ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ № 2

на курсовое проектирование по дисциплине “Схемотехника АЭУ”

студенту гр.180 Курманову Б.А.

1. Тема проекта Импульсный усилитель

2. Сопротивление генератора Rг = 75 Ом.

3. Коэффициент ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат усиления K = 25 дБ.

4. Продолжительность импульса 0,5 мкс.

5. Полярность "положительная".

6. Скважность 2.

7. Время установления 25 нс.

8. Выброс 5%.

9. Преломления плоской верхушки импульса 5%.

10.Амплитуда 4В.

11.Полярность "отрицательная".

12.Сопротивление нагрузки Rн = 75 Ом.

13.Условия эксплуатации и требования к стабильности характеристик усилителя 20 - 45 °С.

14.Срок сдачи проекта на кафедру РЗИ 10.05.2003 .

15.Дата выдачи Задания 22.02.2003 .

Управляющий проектирования _____________

Исполнитель ______________


1.Введение

Импульсные усилители ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат отыскали обширное применение. В особенности обширно они используются в радиотехнических устройства, в системах автоматики, в устройствах экспериментальной физики, в измерительных устройствах.

Зависимо от задач на импульсные усилители накладываются разные требования, которым они должны отвечать. Потому усилители могут различаться меж собой как по элементной базе, особенностям схемы, так и по конструкции. Но ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат существует общая методика, которой следует придерживаться при проектировании усилителей.

Задачей представленного проекта является отыскание более обычного и надежного решения.

Для импульсного усилителя используют особые транзисторы, имеющие высшую граничную частоту. Такие транзисторы именуются высокочастотными.

Итогом курсового проекта стали характеристики и свойства готового импульсного усилителя.


2.Подготовительный расчет усилителя

2.1 Расчет рабочей точки ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат

Начальные данные для курсового проектирования находятся в техническом задании.

Средне статистический транзистор даёт усиление в 20 дБ, по заданию у нас 25 дБ, отсюда получим, что наш усилитель будет иметь как минимум 2 каскада. Но исходя из условия разной полярности входного и выходного сигнала число каскадов должно быть нечетным, как ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат следует число каскадов составит 3.

Структурная схема многокаскадного усилителя представлена на рис.2.1

Набросок 2.1 - Структурная схема усилителя

По данному напряжению на выходе усилителя рассчитаем напряжение коллектор эмиттер и ток коллектора (рабочую точку).

Iко=

Uкэо=

Разглядим два варианта реализации схемы питания транзисторного усилителя: 1-ая схема реостатный каскад, 2-ая схема дроссельный каскад.

Дроссельный каскад ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат:

Схема дроссельного каскада по переменному току представлена на рисунке 2.2.

Набросок 2.2 - Схема дроссельного каскада

Rн=75 (Ом).

Расчетные формулы:

(2.1)

(2.2)

(2.3)

(2.4)

Исходя из формул 2.1 - 2.4 вычислим напряжение Uкэо и ток Iко.

Eп = Uкэо = 4В

Pвых = Вт

Pпотр = Вт

η =

Резистивный каскад:

Схема резистивного каскада по переменному току представлена на рисунке 2.3.

Набросок 2.3 - Схема резистивного каскада

Rк=75(Ом), Rн=75 (Ом), Rн~=37,5 (Ом ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат).

Исходя из формул 2.1 - 2.4 вычислим напряжение Uкэо и ток Iко.

Eп = Iко*Rк+Uкэо = 8,4В

Pвых = Вт

Pпотр = Вт

η =

Результаты выбора рабочей точки 2-мя методами приведены в таблице 2.1.

Таблица 2.1.

Eп ,(В) Iко , (А) Uко , (В) Pвых. ,(Вт) Pпотр. ,(Вт) PRк ,(Вт) η
8,4 0,0587 4 0,107 0,496 0,255 0,22
4 0,0293 4 0,107 0,117 0,91

3. Выбор транзистора

Выбор транзистора осуществляется с учётом последующих предельных характеристик ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат:

1. PRк ≤ Pк доп *0,8

2. Iко ≤ 0,8*Iк max

3. fв (10-100) ≤ fт

4. Uкэо ≤ 0,8*Uкэ доп

Исходя из данных технического задания . Тогда верхняя граничная частота оконечного каскада:

(3.1)

fТ>(10..100) fв ,

fT=140МГц.

Этим требованиям на сто процентов соответствует транзистор 2Т602А. Характеристики транзистора приведены в таблице 3.1.

Таблица 3.1 - Характеристики применяемого транзистора

Наимено-вание Обозначение Значения
Ск Емкость коллекторного перехода 4 пФ
Сэ Емкость эмиттерного ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат перехода 25 пФ
Граничная частота транзистора 150 МГц
Βо Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ 20-80
Температура среды 25о С
Iкбо Оборотный ток коллектор-база 10 мкА
Неизменный ток коллектора 75 мА
Тперmax Температура перехода 423 К
Pрас Неизменная рассеиваемая мощность (без теплоотвода) 0,85 Вт

Дальше рассчитаем выберем схему термостабилизации.

4. Расчет схемы термостабилизации

4.1 Эмиттерная термостабилизация

Эмиттерная стабилизация применяется в главном в маломощных каскадах, и получила более обширное распространение. Схема эмиттерной термостабилизации приведена на рисунке ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат 4.1.

Набросок 4.1 - Схема эмиттерной термостабилизации

Расчёт произведем поэтапно:

1. Выберем напряжение эмиттера , ток делителя и напряжение питания ;

2. Потом рассчитаем .

Напряжение эмиттера выбирается равным порядка . Выберем .

Ток делителя выбирается равным , где - базисный ток транзистора и рассчитывается по формуле:

(мА); (4.1.1)

Тогда:

(мА) (4.1.2)

Напряжение питания рассчитывается по формуле: (В)

Расчёт величин резисторов делается по последующим формулам ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат:

Ом; (4.1.3)

(4.1.4)

(Ом); (4.1.5)

(Ом); (4.1.6)

Данная методика расчёта не учитывает впрямую данный спектр температур среды, но, в спектре температур от 0 до 50 градусов для рассчитанной схожим образом схемы, результирующий уход тока покоя транзистора, обычно, не превосходит (10-15)%, другими словами схема имеет полностью приемлемую стабилизацию.

4.2 Пассивная коллекторная термостабилизация

Набросок 4.2 - Схема пассивной коллекторной термостабилизации.

Пусть ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат URк =10В

Rк= (Ом); (4.2.1)

Еп=Uкэо+URк =10+10=20В (4.2.2)

Rб= =5,36 (кОм) (4.2.3)

Ток базы определяется Rб. При увеличении тока коллектора напряжение на Uкэо падает и как следует миниатюризируется ток базы, а это не даёт возрастать далее току коллектора. Но чтоб стал изменяться ток базы, напряжение Uкэо должно поменяться на 10-20%, другими словами ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат Rк должно быть очень велико, что оправдывается исключительно в маломощных каскадах.


4.3 Активная коллекторная термостабилизация

Набросок 4.3 - Схема активной коллекторной термостабилизации

Создадим так чтоб Rб зависело от напряжения Ut. Получим что при малозначительном изменении тока коллектора существенно поменяется ток базы. И заместо огромного Rк можно поставить наименьшее на котором бы падало ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат маленькое (порядка 1В) напряжение.

Статический коэффициент передачи по току первого транзистора bо1=30. UR4 =5В.

R4= = =85 (Ом) (4.3.1)

(4.3.2)

Iко1 = Iбо2 =

Pрас1 = Uкэо1 *Iко1 = 5*1,68*10-3 = 8,4 мВт

R2= = =2,38 (кОм) (4.3.3)

R1= = =672 (Ом) (4.3.4)

R3 = (Ом) (4.3.5)

Еп = Uкэо2 +UR4 = 10+5 = 15В (4.3.6)

Данная схема просит существенное количество дополнительных частей, в том числе и активных. При повреждении емкости С1 каскад самовозбудится и будет ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат не усиливать, а генерировать, т.е. данный вариант не желателен, так как характеристики усилителя должны как можно меньше зависеть от конфигурации характеристик его частей. Более применима эмиттерная термостабилизация.

5. Расчёт характеристик схемы Джиаколетто

Набросок 5.1 - Эквивалентная схема биполярного транзистора (схема

Джиаколетто)

Ск(треб)=Ск(пасп)* =4× =8,9 (пФ), где

Ск(треб)-ёмкость коллекторного перехода при ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат данном Uкэ0,

Ск(пасп)-справочное значение ёмкости коллектора при Uкэ(пасп).

rб= =33,5 (Ом); gб= =0,03 (Cм), где (5.1)

rб-сопротивление базы,

-справочное значение неизменной цепи оборотной связи.

rэ= = =0,835 (Ом), где (5.2)

Iк0 в мА,

rэ-сопротивление эмиттера.

gбэ= = =0,039, где (5.3)

gбэ-проводимость база-эмиттер,

-справочное значение статического коэффициента передачи тока в схеме ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат с общим эмиттером.

Cэ= = =41 (пФ), где (5.4)

Cэ-ёмкость эмиттера,

fт-справочное значение граничной частоты транзистора при которой =1

Ri= =1333 (Ом), где (5.5)

Ri-выходное сопротивление транзистора,

Uкэ0(доп), Iк0(доп)-соответственно паспортные значения допустимого напряжения на коллекторе и неизменной составляющей тока коллектора.

gi=0.75(мСм).

(5.6)

где К0 - коэффициент усиления резисторного ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат каскада

(5.7)

где τв - неизменная времени верхних частот резисторного каскада

(5.8)

где τ - неизменная времени верхних частот

(5.9)

где S0 - крутизна проходной свойства

(5.10)

где Свх - входная динамическая емкость каскада

(5.11)

(5.12)

(5.13)

где fв - верхняя граничная частота

Из формул 5.6 - 5.11 получим:

(Ом)

(См)

- верхняя граничная частота при условии что на каждый каскад приходится по 0,75 дБ искажений.

Данное значение верхней граничной частоты не удовлетворяет требованиям технического задания ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат, потому будет нужно введение корректировки.

6. Расчет частотной индуктивной корректировки

Схема частотной индуктивной корректировки представлена на рисунке 6.1.

Набросок 6.1 - Схема индуктивной частотной корректировки

Частотная индуктивная корректировка вводится для корректировки искажений АЧХ вносимых транзистором. Корректирующий эффект в схеме получается из-за возрастания сопротивления коллекторной цепи с ростом частоты усиливаемого сигнала и компенсации, благодаря ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат этому, шунтирующего деяния выходной емкости транзистора.

Коэффициент усиления каскада в области верхних частот, при рациональном значении равном:

,

описывается выражением:

,

где ;

;

Разумеется что при постоянном Rк коэффициент усиления К0 - не поменяется.

;

в , и характеристики рассчитанные по формулам 5.7, 5.8, 5.9.

Lк = 75*6.55*10-9 =4.9*10-9 (Гн)

τк =

fв каскада равна:


7. Промежный каскад

7.1 Расчет рабочей ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат точки. Транзистор VT2

Набросок 7.1 - Подготовительная схема усилителя

Возьмем Rк = 800 (Ом).

(Ом)

В

Не считая того при выборе транзистора следует учитывать: fв =14 (МГц).

Этим требованиям соответствует транзистор КТ339А. Но данные о его параметрах при данном токе и напряжении недостаточны, потому выберем последующую рабочую точку:

Iко = 5мА

Uкэо =10В

Таблица 7.1 - Характеристики применяемого транзистора

Наимено-вание Обозначение Значения
Ск Емкость ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат коллекторного перехода 2 пФ
Сэ Емкость эмиттерного перехода 4 пФ
Граничная частота транзистора 300 МГц
Βо Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ 100
Температура среды 25о С
Неизменный ток коллектора 25 мА
Тперmax Температура перехода 448 К
Pрас Неизменная рассеиваемая мощность (без теплоотвода) 0,26 Вт

Рассчитаем характеристики эквивалентной схемы для данного транзистора используя формулы 5.1 - 5.13.

Ск(треб)=Ск(пасп)* =2× =1,41 (пФ), где

Ск(треб)-ёмкость коллекторного перехода при данном Uкэ0,

Ск(пасп)-справочное значение ёмкости коллектора ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат при Uкэ(пасп).

rб= =17,7 (Ом); gб= =0,057 (Cм), где

rб-сопротивление базы,

-справочное значение неизменной цепи оборотной связи.

rэ= = =6,54 (Ом), где

Iк0 в мА,

rэ-сопротивление эмитера.

gбэ= = =1,51(мСм), где

gбэ-проводимость база-эмитер,

-справочное значение статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

Cэ= = =0,803 (пФ), где

Cэ-ёмкость эмиттера,

fт ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат-справочное значение граничной частоты транзистора при которой =1

Ri= =1000 (Ом), где

Ri-выходное сопротивление транзистора,

Uкэ0(доп), Iк0(доп)-соответственно паспортные значения допустимого напряжения на коллекторе и неизменной составляющей тока коллектора.

gi=1(мСм).

(Ом) (7.1)

(7.2)

– входное сопротивление и входная емкость нагружающего каскада.

(7.3)

(См)

- верхняя граничная частота при условии что на ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат каждый каскад приходится по 0,75 дБ искажений. Лучше ввести корректировку.


7.1.1 Расчет частотной индуктивной корректировки

Схема частотной индуктивной корректировки представлена на рисунке 7.2.

Набросок 7.2 - Схема частотной индуктивной корректировки

промежного каскада

Частотная индуктивная корректировка вводится для корректировки искажений АЧХ вносимых транзистором. Корректирующий эффект в схеме получается из-за возрастания сопротивления коллекторной цепи ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат с ростом частоты усиливаемого сигнала и компенсации, благодаря этому, шунтирующего деяния выходной емкости транзистора.

Расчетные формулы:

,

,

где ;

;

При постоянном Rк коэффициент усиления не будет поменяются.

;

τ ,τв и S0 рассчитываются по 5.7, 5.8, 5.9.

(Гн)

с

= - верхняя граничная частота корректированного каскада при условии что на каждый каскад приходится по 0,75 дБ искажений.

7.1.2 Расчет схемы термостабилизации

Используем эмиттерную ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат стабилизация так как был избран маломощный транзистор, не считая того эмиттерная стабилизация уже применяется в рассчитываемом усилителе. Схема эмиттерной термостабилизации приведена на рисунке 4.1.

Порядок расчета:

1. Выберем напряжение эмиттера , ток делителя и напряжение питания ;

2. Потом рассчитаем .

Напряжение эмиттера выбирается равным порядка . Выберем .

Ток делителя выбирается равным , где - базисный ток транзистора ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат и рассчитывается по формуле:

(мА);

Тогда:

мА

Напряжение питания рассчитывается по формуле: (В)

Расчёт величин резисторов делается по последующим формулам:

(Ом);

(кОм);

(кОм);

В спектре температур от 0 до 50 градусов для рассчитанной схожим образом схемы, результирующий уход тока покоя транзистора, обычно, не превосходит (10-15)%, другими словами схема имеет полностью приемлемую стабилизацию ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат.

7.2 Транзистор VT1

В качестве транзистора VT1 используем транзистор КТ339А с той же рабочей точкой что и для транзистора VT2:

Iко = 5мА

Uкэо =10В

Возьмем Rк = 100 (Ом).

Рассчитаем характеристики эквивалентной схемы для данного транзистора используя формулы 5.1 - 5.13 и 7.1 - 7.3.

Ск(треб)=Ск(пасп)* =2× =1,41 (пФ), где

Ск(треб)-ёмкость коллекторного перехода при данном ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат Uкэ0,

Ск(пасп)-справочное значение ёмкости коллектора при Uкэ(пасп).

rб= =17,7 (Ом); gб= =0,057 (Cм), где

rб-сопротивление базы,

-справочное значение неизменной цепи оборотной связи.

rэ= = =6,54 (Ом), где

Iк0 в мА,

rэ-сопротивление эмитера.

gбэ= = =1,51(мСм), где

gбэ-проводимость база-эмитер,

-справочное значение статического коэффициента передачи тока в схеме с общим ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат эмитером.

Cэ= = =0,803 (пФ), где

Cэ-ёмкость эмитера,

fт-справочное значение граничной частоты транзистора при которой =1

Ri= =1000 (Ом), где

Ri-выходное сопротивление транзистора,

Uкэ0(доп), Iк0(доп)-соответственно паспортные значения допустимого напряжения на коллекторе и неизменной составляющей тока коллектора.

gi=1(мСм).

(Ом)

нс

– входное сопротивление и входная емкость нагружающего каскада.

(См)

- верхняя ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат граничная частота при условии что на каждый каскад приходится по 0,75 дБ искажений. Данное значение fв удовлетворяет техническому заданию. Нет необходимости в корректировки.


7.2.1 Расчет схемы термостабилизации

Как было сказано в пт 7.1.1 в данном усилителе более применима эмиттерная термостабилизация так как транзистор КТ339А является маломощным, не считая того эмиттерная ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат стабилизация ординарна в реализации. Схема эмиттерной термостабилизации приведена на рисунке 4.1.

Порядок расчета:

1. Выберем напряжение эмиттера , ток делителя и напряжение питания ;

2. Потом рассчитаем .

Выберем .

Ток делителя выбирается равным , где - базисный ток транзистора и рассчитывается по формуле:

(мА);

Тогда:

мА

Напряжение питания рассчитывается по формуле: (В)

Расчёт величин резисторов делается ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат по последующим формулам:

(Ом);

(кОм);

(кОм);


8. Преломления вносимые входной цепью

Принципная схема входной цепи каскада приведена на рис. 8.1.

а) б)

Набросок 8.1 - Принципная схема входной цепи каскада

При условии аппроксимации входного сопротивления каскада параллельной RC-цепью, коэффициент передачи входной цепи в области верхних частот описывается выражением:

,

где ; (8.1)

; (8.2)

; (8.3)

– входное сопротивление и входная емкость ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат каскада.

Значение входной цепи рассчитывается по формуле (5.13), где заместо подставляется величина .

(Ом)

(с)

9. Расчет Сф , Rф , Ср

В принципной схеме усилителя предвидено четыре разделительных конденсатора и три конденсатора стабилизации. В техническом задании сказано что преломления плоской верхушки импульса должны составлять менее 5%. Как следует каждый разделительный конденсатор должен искажать плоскую верхушку импульса менее ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат чем на 0.71%.

Преломления плоской верхушки рассчитываются по формуле:

, (9.1)

где τ и - продолжительность импульса.

Вычислим τн :

Тогда:

τн и Ср связаны соотношением:

, (9.2)

где Rл , Rп - сопротивление слева и справа от емкости.

Вычислим Ср . Сопротивление входа первого каскада равно сопротивлению параллельно соединенных сопротивлений: входного транзисторного, Rб1 и Rб2.

Rп =Rвх ||Rб1 ||Rб ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат2 =628(Ом)

(Ф);

Сопротивление выхода первого каскада равно параллельному соединению Rк и выходного сопротивления транзистора Ri.

Rл =Rк||Ri=90,3(Ом)

Rп =Rвх ||Rб1 ||Rб2 =620(Ом)

(Ф);

Rл =Rк||Ri=444(Ом)

Rп =Rвх ||Rб1 ||Rб2 =48(Ом)

(Ф);

Rл =Rк||Ri=71(Ом)

Rп =Rн =75(Ом)

(Ф);

где Ср1 - разделительный ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат конденсатор меж Rг и первым каскадом, С12 - меж первым и вторым каскадом, С23 - меж вторым и третьим, С3 - меж оконечным каскадом и нагрузкой. Поставив все другие емкости по 479∙10-9 Ф, мы обеспечим спад, меньше требуемого.

Вычислим Rф и Сф (URФ =1В):

(9.3)

(Ом)

(Ф) (9.4)


10. Заключение

В данном курсовом проекте разработан импульсный усилитель с внедрением ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат транзисторов 2Т602А, КТ339А, имеет последующие технические свойства:

- верхняя граничная частота 14МГц;

- коэффициент усиления 64 дБ;

- сопротивление генератора и нагрузки 75 Ом;

- напряжение питания 18 В.

Схема усилителя представлена на рисунке 10.1.

Набросок 10.1 - Схема усилителя

При вычислении черт усилителя использовалось последующее программное обеспечение: MathCad, Work Bench.

Литература

1. Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат: Справочник/ А.А. Зайцев, А.И. Миркин, В.В. Мокряков и др. Под редакцией А.В. Голомедова.-М.: Радио и Связь, 1989.-640с.

2. Расчет частей частотной корректировки усилительных каскадов на биполярных транзисторах. Учебно-методическое пособие по курсовому проектированию для студентов радиотехнических специальностей / А.А. Титов, Томск: Том. гос ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - реферат. ун-т систем управления и радиоэлектроники, 2002. - 45с.


impuls-2-j-zakon-nyutona-na-yazike-impulsa.html
impuls-sistemi-materialnih-tochek-uravnenie-dvizheniya-centra-mass-zakon-sohraneniya-impulsa.html
impulsivnie-prestupniki-4-glava.html